Diodo de silicio 1N1184A 100V 35A -55 a +150 °C alta capacidad de potencia diseño compacto Modelo:1N1184A Ahorra costos con la opción

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Fácil de instalar con herraje incluido

Reducción significativa de costos de sistema sin comprometer la calidad de imagen

Reduce la necesidad de múltiples fibras al usar la tecnología WDM/Bidi

Diodo de silicio 1N1184A 100V 35A -55 a +150 °C alta capacidad de potencia diseño compacto Modelo:1N1184A Ahorra costos con la opciónDiodo de silicio 1N1184A 100V 35A 55 a +150 C alta capacidad de potencia diseo compacto. Diodo tipo: Potencia Estandar 1N1184A, Material: Silicio, Voltaje RMS: 70V, Corriente: 35A y Polaridad: Ctodo en Base. Sus caractersticas incluyen alta capacidad de potencia y diseo compacto DO 5, permitiendo el manejo de altas corrientes. Caractersticas Alta capacidad de Potencia Diodo de tipo rectificador de silicio Amplio rango de temperatura de operacin No